埋入式栅极结构及半导体存储器的形成方法

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摘要

本发明提供的埋入式栅极结构及半导体存储器的形成方法包括如下步骤：提供衬底，所述衬底上具有第一掩膜层；形成多个刻蚀结构于所述第一掩膜层表面，所述刻蚀结构包括分隔层和位于所述分隔层表面的第二掩膜层，所述第二掩膜层中具有暴露所述分隔层的第一沟槽，相邻所述刻蚀结构之间具有暴露所述第一掩膜层的第二沟槽；同时沿所述第一沟槽和所述第二沟槽刻蚀所述衬底，形成与所述第一沟槽对应的栅极槽、并同时形成与所述第二沟槽对应的第一隔离槽于所述衬底中，且所述第一隔离槽的深度大于所述栅极槽。本发明极大的简化了埋入式栅极结构的制造工艺，提高了半导体的生产效率，降低了半导体制造成本。

基本信息

专利标题：

埋入式栅极结构及半导体存储器的形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112420722A

申请号：

CN201910777788.X

公开（公告）日：

2021-02-26

申请日：

2019-08-22

授权号：

CN112420722B

授权日：

2022-06-10

发明人：

不公告发明人

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

孙佳胤

优先权：

CN201910777788.X

主分类号：

H01L27/11563

IPC分类号：

H01L27/11563 H01L27/11568 H01L29/06