半导体装置与浮动栅极存储器
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种半导体装置与浮动栅极存储器，该半导体装置与浮动栅极存储器包括一栅极结构，其包括：位于一基底上的一穿隧氧化层；位于穿隧氧化层上的一浮动栅极；位于浮动栅极上的一介电层；以及位于介电层上的一控制栅极。半导体装置更包括：沿着栅极结构相对边缘的间隙壁；一第一杂质区，其具有第一型掺杂物并从栅极结构的一第一边缘侧向分隔；以及一第二杂质区，其具有与第一型相反的一第二型掺杂物，且其大体位于一间隙壁下方并大体对准于该栅极结构的一第二边缘。本发明所述的半导体装置与浮动栅极存储器可快速编程，并且可达成多种电位的编程以表示出多种的储存状态。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置与浮动栅极存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1832200A
申请号 ：
CN200510114470.1
公开（公告）日 ：
2006-09-13
申请日 ：
2005-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赖理学陈宏玮李文钦季明华
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510114470.1
主分类号 ：
H01L29/788
IPC分类号 ：
H01L29/788 H01L27/105 H01L27/115
法律状态
2009-03-11 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
