半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统
公开
摘要
提供了半导体存储器装置和包括其的存储器系统。一种半导体存储器装置包括：外部电阻器,其设置在板上；以及多个存储器晶片，其安装在板上并且被指定为主晶片和从晶片。存储器晶片共同连接至外部电阻器。主晶片在半导体存储器装置的初始化序列期间执行第一阻抗校准操作，并且在其中的第一寄存器集中存储第一校准数据、第一电压和第一温度。在第一阻抗校准操作完成之后，在初始化序列期间，多个从晶片中的每一个执行第二阻抗校准操作，并且在其中的第二寄存器集中存储与第二阻抗校准操作关联的第二校准数据和对应于第一校准数据和第二校准数据之间的差的偏差数据。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530172A
申请号 ：
CN202111397188.4
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2021-11-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐廷硕金光贤金治国柳承佑黄斗熙
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵南
优先权 ：
CN202111397188.4
主分类号 ：
G11C7/10
IPC分类号 ：
G11C7/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C7/10
输入/输出数据接口装置，例如：I/O数据控制电路、I/O数据缓冲器
法律状态
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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