半导体存储器装置和包括其的存储器系统
公开
摘要
本发明公开了一种半导体存储器装置和包括其的存储器系统。该存储器系统包括：存储器装置，其包括至少一个存储体；以及存储器控制器，其适用于：根据激活地址将存储体划分为多个子区域，基于通过对每个子区域的激活命令的输入数量进行计数而生成的多个计数值来生成用于存储体的老化信号，以及提供激活命令、激活地址、老化信号和目标刷新命令，其中，所述存储器装置适用于：通过根据激活命令对激活地址进行采样来生成采样地址，以及根据目标刷新命令对与采样地址相对应的字线执行目标刷新操作，并且根据老化信号来调整存储体的刷新周期。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器装置和包括其的存储器系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114627922A
申请号 ：
CN202111313836.3
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-11-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金雄来
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京弘权知识产权代理有限公司
代理人 ：
许伟群
优先权 ：
CN202111313836.3
主分类号 ：
G11C11/406
IPC分类号 ：
G11C11/406 G11C11/4063
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的
G11C11/406
刷新或电荷再生周期的管理或控制
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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