包括偏移有源区的半导体存储器件
发明专利申请公布后的驳回
摘要
一种半导体存储器件可以包括具有多个有源区的衬底和在衬底上围绕衬底的有源区的场隔离层。多个有源区的每一个在第一轴的方向上可以具有一长度和在第二轴的方向上可以具有一宽度，以及该长度可以大于该宽度。多个有源区可以被设置在第二轴的方向上的有源区的多个列中，以及相邻列的有源区在第二轴的方向上可以偏移。
基本信息
专利标题 ：
包括偏移有源区的半导体存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1779978A
申请号 ：
CN200510113434.3
公开（公告）日 ：
2006-05-31
申请日 ：
2005-10-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
具斗训赵汉九文周泰禹相均吕起成白炅润
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林宇清
优先权 ：
CN200510113434.3
主分类号 ：
H01L27/105
IPC分类号 ：
H01L27/105 H01L27/108
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
法律状态
2009-11-18 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2006-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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