包括布线接触插塞的半导体存储器装置
公开
摘要
一种半导体存储器装置，包括：衬底，其包括单元区域和外围区域；多个电容器，其包括布置在单元区域中的多个下电极、覆盖多个下电极的多个电容器介电层和位于多个电容器介电层上的上电极；蚀刻停止层，其覆盖上电极；填充绝缘层，其覆盖蚀刻停止层，并且布置在单元区域和外围区域中；多条布线，其位于填充绝缘层上；以及第一布线接触插塞，其将多条布线中的至少一条电连接到上电极。上电极包括第一上电极层和第二上电极层，第一上电极层覆盖多个电容器介电层并且包括半导体材料，第二上电极层覆盖第一上电极层并且包括金属材料。
基本信息
专利标题 ：
包括布线接触插塞的半导体存储器装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446962A
申请号 ：
CN202111283513.4
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-11-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙镛赫李俊雨赵星东
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵南
优先权 ：
CN202111283513.4
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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