半导体存储器装置
实质审查的生效
摘要
一种半导体存储器装置包括基板、多个接合垫、第一导电层、多个第一电容器、多个第二电容器、第二导电层与多个第三电容器。基板具有主动区。主动区具有第一区、第二区与第三区。第三区围绕第一区。第二区围绕第一区与第三区。接合垫设置在第一区上。第一导电层设置于第二区上。第一电容器分别设置于接合垫上。第二电容器配置于第一导电层上。第二导电层配置于第二电容器上。第三电容器配置于第三区。第二导电层不与第三电容器电性连接。如此，能够减少信号噪声(杂讯)。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373763A
申请号 ：
CN202111175050.X
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-10-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林瑄智
申请人 ：
南亚科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新北市泰山区南林路98号
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛恒
优先权 ：
CN202111175050.X
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20211009
申请日 : 20211009
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
