半导体存储器装置
公开
摘要
公开了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：具有包括第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的有源图案的衬底；栅电极，其在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间在第一方向上延伸跨过有源图案；线结构，其在横向于第一方向的第二方向上延伸跨过有源图案，所述线结构包括电连接至第一源极/漏极区的位线；器件隔离层，其位于限定有源图案的第一沟槽中；以及接触件，其结合至所述第二源极/漏极区。有源图案包括：第一部分，其在平行于衬底的顶表面的第三方向上延伸；以及第二部分和第三部分，它们连接至所述第一部分的相对端部，并且与对应的接触件竖直地重叠。第二部分和第三部分朝着相应的接触件延伸。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613773A
申请号 ：
CN202111375443.5
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-11-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安皓均尹成美
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵南
优先权 ：
CN202111375443.5
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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