半导体存储器
授权
摘要
本实用新型提供了一种半导体存储器。所述半导体存储器包括：基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底表面的若干电容触点，所述衬底内具有若干条字线；若干电容承接板，位于所述基底表面，若干所述电容承接板与若干所述电容触点一一对应连接，且所述电容承接板相对于所述字线倾斜一预设角度。本实用新型能够有效的控制电容承接板的尺寸以及相邻电容承接板之间的间距。
基本信息
专利标题 ：
半导体存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921684703.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-09
授权号 ：
CN210272359U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
杨城蔡明蒲
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201921684703.5
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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