存储器
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种存储器。通过在位元线的至少部分侧壁上形成侧壁氮化层，从而可以在侧壁氮化物层隔离保护下，避免位元线被氧化的问题。尤其是，针对位元线中包括金属材料层时，则可在金属材料层的侧壁上形成侧壁金属氮化物层，不仅可以防止金属材料层被氧化的问题，并且有利于进一步提高所述位元线的电性传导性能保障位元线的电性传导性能。
基本信息
专利标题 ：
存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267678A
申请号 ：
CN202111574820.8
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-09-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
詹益旺童宇诚
申请人 ：
福建省晋华集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市集成电路科学园联华大道88号
代理机构 ：
上海思捷知识产权代理有限公司
代理人 ：
郑星
优先权 ：
CN202111574820.8
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L23/528 H01L23/532 H01L21/768 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/108
申请日 : 20200904
申请日 : 20200904
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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