平板电容结构和平板电容、栅极和电阻的形成工艺方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明公开了一种平板电容结构及平板电容、栅极和电阻的形成工艺方法，它可以简化工艺，降低成本。在所述的平板电容结构中以多晶硅作为它的下极，在平板电容、栅极和电阻的形成工艺方法，它主要包括以下步骤，第一步，多晶硅化学气相沉积成长，并全面磷注入；第二步，层间介质化学气相沉积生长，并以光刻胶为掩膜刻蚀去除电容的下极及高阻以外的层间介质；第三步，金属层溅射；第四步，阻挡氧化层化学气相沉积成长；第五步，通过光刻胶掩膜刻蚀所述阻挡氧化层和所述金属层，形成电容上极和栅极和电阻的金属层，然后再用所述光刻胶和层间介质共同作掩膜刻蚀多晶硅，形成电容的下极和栅极、低阻层电阻、高阻层电阻的多晶硅。

基本信息

专利标题：

平板电容结构和平板电容、栅极和电阻的形成工艺方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1971947A

申请号：

CN200510110604.2

公开（公告）日：

2007-05-30

申请日：

2005-11-22

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王勤

申请人：

上海华虹NEC电子有限公司

申请人地址：

201206上海市浦东新区川桥路1188号

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

优先权：

CN200510110604.2

主分类号：

H01L29/94

IPC分类号：

H01L29/94 H01L27/108 H01L27/102 H01L27/10 H01L27/00 H01L21/8242 H01L21/8222 H01L21/82