公开了用于晶体管栅极沟槽工程的技术以减小电容和电阻。可以在晶体管栅极的任一侧上形成侧壁间隔体，有时称为栅极间隔体或更一般的间隔体，以帮助降低栅极‑源极/漏极电容。这样的间隔体可以在从间隔体之间去除虚设栅极材料之后界定栅极沟槽，以在例如替换栅极工艺期间形成栅极沟槽区域。在一些情况下，为了减小栅极沟槽区内部的电阻，可以进行蚀刻以形成多层栅极或栅极电极，其中该多层栅极包括第一金属和第一金属上方的第二金属，其中第二金属包括比第一金属更低的电阻率性质。在一些情况下，为了减小晶体管栅极沟槽内部的电容，可以执行技术以在栅极沟槽侧壁上形成低k电介质材料。