分立栅极沟槽MOSFET的布局架构
授权
摘要
本申请公开一种屏蔽栅极沟槽MOSFET的布局架构，包括：第一极性高度掺杂衬底与其上生长的第一极性的外延层；形成在所述外延层中的多个条形沟槽，所述多个条形沟槽包括：位于有源区中且为平行的多个有源栅极沟槽；环绕于所述有源区外围且与部分有源栅极沟槽形成间隔连接的终端沟槽，与环设于终端沟槽外的沟槽保护环。其中，终端沟槽与不连接的有源栅极沟槽的外缘，形成相等台面宽度。
基本信息
专利标题 ：
分立栅极沟槽MOSFET的布局架构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122406441.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-09-30
授权号 ：
CN216311792U
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
常虹苏毅
申请人 ：
华羿微电子股份有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市西安经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号
代理机构 ：
上海容慧专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
于晓菁
优先权 ：
CN202122406441.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L29/06
法律状态
2022-04-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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