一种窄尺寸矩阵沟槽栅极结构

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型公开了一种窄尺寸矩阵沟槽栅极结构，属于半导体技术领域。栅极接触区有由多个沟槽形成的沟槽矩阵，所述沟槽矩阵包含至少2个沟槽，所述沟槽宽度为0.8‑1.0um，所述沟槽内填充多晶，所述栅极结构还包含栅极接触孔，所述栅极接触孔位于沟槽内的多晶上，所述栅极接触孔组成小孔矩阵，所述栅极接触孔宽度为0.4‑0.6um。本实用新型提供的沟槽栅极结构，可以明显改善栅源之间的漏流高的问题。欧姆接触没有明显的升高，栅源之间的漏流(Iges)失效明显降低。产品良率从平均78％，提升到平均86％，同时良率离散系数从25％降低到3.5％的合理区间。保证了沟槽MOSFET满足大生产要求，产品品质得到明显提升。

基本信息

专利标题：

一种窄尺寸矩阵沟槽栅极结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921833038.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-10-29

授权号：

CN211208451U

授权日：

2020-08-07

发明人：

王西政

申请人：

无锡和达创芯科技有限公司

申请人地址：

江苏省无锡市新吴区菱湖大道200号F11栋二楼创星孵化器

代理机构：

无锡嘉驰知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

盛际丰

优先权：

CN201921833038.1

主分类号：

H01L29/423

IPC分类号：

H01L29/423 H01L29/06