带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET
授权
摘要
本实用新型公开了一种带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET，包括：碳化硅衬底；碳化硅衬底上生长的碳化硅外延层；所述碳化硅衬底背面覆盖的漏极金属电极；所述碳化硅外延层上刻蚀的沟槽，在所述沟槽表面生长有的氧化层，氧化层上设有的栅极金属电极；在碳化硅外延层上设有的源极注入区；所述源极注入区上覆盖有的源极金属电极；在碳化硅外延层上还设有的多个注入区，其中包括阻断注入区，保护注入区和改善注入区，所述阻断注入区的掺杂类型为第二导电类型，所述改善注入区的掺杂类型为第一导电类型，所述保护注入区为重掺杂的第二导电类型，所述阻断注入区与源极注入区相邻且设置在栅极和漏极之间，所述保护注入区设置在栅极金属电极下方。
基本信息
专利标题 ：
带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021831014.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-28
授权号 ：
CN213366599U
授权日 ：
2021-06-04
发明人 ：
张梓豪黄兴陈欣璐
申请人 ：
派恩杰半导体（杭州）有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市滨江区浦沿街道六和路368号一幢(北)三楼D3204室
代理机构 ：
杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
董世博
优先权 ：
CN202021831014.5
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/423 H01L29/78
法律状态
2021-06-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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