带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET
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摘要
本实用新型公开了一种带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET,包括:碳化硅衬底;碳化硅衬底上生长的碳化硅外延层;所述碳化硅衬底背面覆盖的漏极金属电极;所述碳化硅外延层上刻蚀的沟槽,在所述沟槽表面生长有的氧化层,氧化层上设有的栅极金属电极;在碳化硅外延层上设有的源极注入区;所述源极注入区上覆盖有的源极金属电极;在碳化硅外延层上还设有的多个注入区,其中包括阻断注入区,保护注入区和改善注入区,所述阻断注入区的掺杂类型为第二导电类型,所述改善注入区的掺杂类型为第一导电类型,所述保护注入区为重掺杂的第二导电类型,所述阻断注入区与源极注入区相邻且设置在栅极和漏极之间,所述保护注入区设置在栅极金属电极下方。
基本信息
专利标题 :
带有栅极沟槽结构的碳化硅MOSFET
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021831014.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-08-28
授权号 :
CN213366599U
授权日 :
2021-06-04
发明人 :
张梓豪黄兴陈欣璐
申请人 :
派恩杰半导体(杭州)有限公司
申请人地址 :
浙江省杭州市滨江区浦沿街道六和路368号一幢(北)三楼D3204室
代理机构 :
杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
董世博
优先权 :
CN202021831014.5
主分类号 :
H01L29/06
IPC分类号 :
H01L29/06 H01L29/423 H01L29/78
法律状态
2021-06-04 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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