碳化硅沟槽栅晶体管
授权
摘要
本实用新型公开一种碳化硅沟槽栅晶体管。碳化硅沟槽栅晶体管包括：依次层叠的衬底层、第一外延层、第二外延层；第一沟槽，贯穿第二外延层，并且底部延伸到第一外延层中；第二沟槽，贯穿第二外延层，并且底部延伸到第一外延层中，第二沟槽与第一沟槽隔开间隔，并且第二沟槽围绕第一沟槽形成；在第一沟槽与第二沟槽之间的述第二外延层形成有源极接触区和基极接触区，第一沟槽的内表面配置有绝缘介质膜，并填充有导电介质，第二沟槽中填充有绝缘介质，在第一外延层中的第二沟槽的底部周围形成有第二导电类型的扩展区域。根据上述碳化硅沟槽栅晶体管，可以降低沟槽栅晶体管的栅介质层所承受的电场强度，同时不会较大影响晶体管的正向电流导通能力。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅沟槽栅晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021271284.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-02
授权号 ：
CN212848410U
授权日 ：
2021-03-30
发明人 ：
崔京京章剑锋黄玉恩
申请人 ：
瑞能半导体科技股份有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市南昌县小蓝经济开发区小蓝中大道346号16栋北面一楼
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
杜立健
优先权 ：
CN202021271284.5
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2021-03-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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