沟槽式晶体管
公开
摘要
提供一种沟槽式晶体管(100)，其具有：半导体区(2)，构造在所述半导体区(2)中的沟槽结构(1)，在所述沟槽结构(1)中的、栅极绝缘层(3，4)和构造在所述栅极绝缘层(3，4)中的导电的栅极层(5)，和与在所述沟槽式晶体管(100)的边缘区域(7a)中的栅极层(5)导电地连接的栅极接触部(6)，其中，所述栅极绝缘层(3，4)的厚度(8)在所述沟槽式晶体管(100)的边缘区域(7a)中比在所述沟槽式晶体管(100)的有源的区域(7b)中更大。
基本信息
专利标题 ：
沟槽式晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114600254A
申请号 ：
CN202080074240.X
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-08-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
D·斯霍尔滕K·埃耶斯W·法伊勒S·施魏格尔J-H·阿尔斯迈尔C·T·班茨哈夫
申请人 ：
罗伯特·博世有限公司
申请人地址 ：
德国斯图加特
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭毅
优先权 ：
CN202080074240.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/06 H01L29/423
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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