自对准的沟槽式场效应晶体管

专利申请权、专利权的转移

摘要

一种自对准的沟槽式场效应晶体管，透过在半导体基板的表面上制备一个多层屏蔽，再形成图案制备所须的栅极沟槽；且透过非等向蚀刻，露出该底部氧化层的部分表面，形成在前述栅极沟槽中的栅极电极，且在氮化层的两侧形成侧边多晶硅层，且底部氧化层上方的表面部分外露；利用前述外露处进行本体注入，及构成源极区；然后，沉积氧化物层在所述栅极电极上方，去除前述氮化层，利用此外露部分，在底部氧化层的下方附近形成接触区，再对前述底部氧化层外露处进行接触点槽的蚀刻，在所述接触点槽内形成导电接触头，且所述导电接触头电性连接前述本体区内的源极区，最后，在半导体基板上方沉积一个金属层，完成自对准的沟槽式场效应晶体管的制备。

基本信息

专利标题：

自对准的沟槽式场效应晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020529911.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-04-10

授权号：

CN211700291U

授权日：

2020-10-16

发明人：

常虹

申请人：

南京紫竹微电子有限公司

申请人地址：

江苏省南京市江北新区星火路17号创智大厦B座10C-A137室

代理机构：

上海容慧专利代理事务所(普通合伙)

代理人：

于晓菁

优先权：

CN202020529911.4

主分类号：

H01L29/423

IPC分类号：

H01L29/423 H01L29/08 H01L29/78 H01L21/266 H01L21/336 H01L21/28