描述了一种结型场效应晶体管。该晶体管由宽能带隙半导体材料制成。该器件包括源极、沟道、漂移和漏极半导体层，以及p型注入的或肖特基栅极区。源极、沟道、漂移和漏极层可以外延生长。与源极、栅极和漏极区之间的欧姆触点可以形成在晶片的同一侧。该器件根据垂直沟道宽度可以具有不同的阈值电压，并且对相同的沟道掺杂可以实现为既用于耗尽模式操作又用于增强模式操作。该器件可用于数字、模拟和单片微波集成电路。还描述了制造包含该器件的晶体管和集成电路的方法。