折叠应变硅横向双扩散半导体场效应晶体管及其制作方法
公开
摘要
本发明公开了一种折叠应变硅横向双扩散半导体场效应晶体管及制作方法。该结构在LDMOS器件的折叠漂移区表面淀积应力介质层，应力介质层表面覆盖延伸栅电极。应力介质层通过从三个面两个维度向漂移区施加沿X方向的积极应力，该积极应力在漂移区内叠加从而诱导漂移区内载流子迁移率提高；此外，器件在关断状态时，应力介质层结合延伸栅电极从三个面两个维度辅助耗尽漂移区，漂移区最优掺杂浓度提高；在开启状态时，延伸栅电极、应力介质层与半导体衬底组成的MIS结构在漂移区表面形成载流子积累层，载流子积累层能够作为低阻电流通路减小器件的比导通电阻，折叠结构提高了沟道密度和低阻电流通路密度，器件比导通电阻进一步减小。
基本信息
专利标题 ：
折叠应变硅横向双扩散半导体场效应晶体管及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582977A
申请号 ：
CN202210199708.9
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
段宝兴李明哲杨银堂
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市太白南路2号
代理机构 ：
西安智邦专利商标代理有限公司
代理人 ：
唐沛
优先权 ：
CN202210199708.9
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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