电压控制晶体管和横向扩散金属氧化物半导体晶体管
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本实用新型提供一种电压控制晶体管以及横向扩散金属氧化物半导体晶体管。该电压控制晶体管利用位于漏极端子与辅助区域之间的寄生电阻器，达到自驱动的目的。所述寄生电阻器形成于准连接深N型阱中的两个耗尽边界之间。当所述两个耗尽边界夹止时，栅极端子处的栅极电压电位将被维持在所述漏极端子处的漏极电压电位。由于将所述栅极电压电位设计为等于或高于启动阈值电压，所以所述晶体管将相应地导通。此外，制造所述寄生电阻器不需要额外的晶粒空间和掩模工艺。此外，本实用新型的所述寄生电阻器不会降低所述晶体管的击穿电压和操作速度。另外，当所述两个耗尽边界夹止时，所述栅极电压电位不会回应所述漏极电压电位的增加而变化。
基本信息
专利标题 ：
电压控制晶体管和横向扩散金属氧化物半导体晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620122164.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-07-10
授权号 ：
CN200990379Y
授权日 ：
2007-12-12
发明人 ：
蒋秋志黄志丰
申请人 ：
崇贸科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台北县
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200620122164.2
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78
法律状态
2009-12-16 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-12-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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