横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法

实质审查的生效

摘要

本发明实施例提供一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法，属于芯片技术领域。所述横向双扩散金属氧化物半导体场效应管包括半导体衬底、源极区、漏极区、栅极区、浅槽隔离区、P型体区以及位于所述半导体衬底上的N型阱区、P型阱区和N型漂移区，所述栅极区为高介电常数电介质金属栅极，所述浅槽隔离区为低介电常数电介质浅槽隔离。本发明实施例提供的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET，其栅极区为高介电常数电介质金属栅极，所述浅槽隔离区为低介电常数电介质浅槽隔离，具有High‑KMetalGate工艺，特别是能与28nm以下的CMOS工艺兼容。

基本信息

专利标题：

横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN114335156A

申请号：

CN202210257137.X

公开（公告）日：

2022-04-12

申请日：

2022-03-16

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

余山赵东艳王于波陈燕宁付振刘芳王凯吴波邓永峰刘倩倩郁文

申请人：

北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司

申请人地址：

北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层

代理机构：

北京润平知识产权代理有限公司

代理人：

肖冰滨

优先权：

CN202210257137.X

主分类号：

H01L29/06

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336 H01L21/28

法律状态

2022-04-29 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220316

2022-04-12 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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