金属氧化物半导体绝缘工艺
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
在NOS电路中形成场氧化区的一种工艺，最初热生长一层氮化硅密封衬底表面，以减少横向氧化，或者说减小沿衬底与氮化硅界面生成的鸟嘴，场氧的生长分两步，第一步为Hcl气氛中的干氧氧化，第二步为湿氧氧化。
基本信息
专利标题 ：
金属氧化物半导体绝缘工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85104651A
申请号 ：
CN85104651.7
公开（公告）日 ：
1986-06-10
申请日 ：
1985-06-15
授权号 ：
CN1003820B
授权日 ：
1989-04-05
发明人 ：
帕特森
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
肖春京
优先权 ：
CN85104651.7
主分类号 ：
H01C21/31
IPC分类号 ：
H01C21/31 H01C27/76
法律状态
2001-02-07 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1989-11-29 ：
授权
1989-04-05 ：
审定
1988-03-02 ：
实质审查请求
1986-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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