应用金属氧化物半导体工艺的共振隧穿器件

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明的一实施例涉及具有低截止漏电流的半导体器件的制造方法。第一器件的栅极结构形成在具有硬掩模的衬底层上。沟道在栅极结构下面形成并具有一定宽度用于支撑栅极结构。在衬底层上淀积一层氧化物或介电层。在氧化物层上淀积一层掺杂多晶硅层。在第一器件与相邻器件之间的掺杂多晶硅层上形成一凹陷结区。

基本信息

专利标题：

应用金属氧化物半导体工艺的共振隧穿器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1812123A

申请号：

CN200510023017.X

公开（公告）日：

2006-08-02

申请日：

2005-10-28

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

B·多伊尔S·达塔J·布拉斯克J·卡瓦利罗斯A·马朱姆达M·拉多萨夫耶维克R·仇

申请人：

英特尔公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

梁永

优先权：

CN200510023017.X

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/336

法律状态

2018-04-10 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/78
登记生效日 : 20180322
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 英特尔公司
变更后权利人 : 努蒙克斯有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国加利福尼亚州
变更后权利人 : 瑞士罗尔

2018-04-10 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/78
登记生效日 : 20180322
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 努蒙克斯有限公司
变更后权利人 : 美光科技公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 瑞士罗尔
变更后权利人 : 美国爱达荷州

2012-06-13 ：

授权

2006-09-27 ：

实质审查的生效

2006-08-02 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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