高密度互补型金属氧化物半导体集成电路制造工艺
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
一种利用最少数量光掩膜板的双阱互补型金属氧化物半导体工艺来制造诸如动态读写存贮器等的半导体器件。在氮化物构成的凹口里形成场氧化物隔离区，因而提供一个比较平坦的表面，并且使产生的侵蚀最少。用硅化、离子注入、源极/漏极区、对栅的自对准、在侧壁氧化层安置好后使用一种注入物、提供轻掺杂的漏极来构成P沟和N沟晶体管。P沟和N沟晶体管的阈值电压是通过区槽注入，而不是通过对于阈值电压调整的分离离子注入步骤来建立的。
基本信息
专利标题 ：
高密度互补型金属氧化物半导体集成电路制造工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85108372A
申请号 ：
CN85108372.2
公开（公告）日 ：
1986-09-24
申请日 ：
1985-11-01
授权号 ：
CN1007476B
授权日 ：
1990-04-04
发明人 ：
罗伯特R·道尔林迈克尔P·德奈格雷戈里J·阿姆斯特朗
申请人 ：
得克萨斯仪器公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯州75265达提斯市北中埃克斯普勒斯韦路13500号
代理机构 ：
上海专利事务所
代理人 ：
吴淑芳
优先权 ：
CN85108372.2
主分类号 ：
H01L21/78
IPC分类号 ：
H01L21/78 H01L21/265 H01L21/82 H01L27/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
法律状态
2001-06-20 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1990-10-31 ：
授权
1990-04-04 ：
审定
1986-09-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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