制造半导体集成电路的方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明公开了一种制造半导体集成电路的方法，所述半导体集成电路包括具有N型FET和P型FET逻辑部分和具有N型FET和P型FET的存储器阵列部分，该方法包括：形成构成逻辑部分和存储器阵列部分的N型FET和P型FET的步骤；之后依次在整个表面上形成具有拉伸应力的第一绝缘膜以及第二绝缘膜；选择性地去除存在于构成逻辑部分的P型FET的区域上侧的第一和第二绝缘膜；然后在整个表面上形成具有压缩应力的第三绝缘膜；之后选择性地去除存在于构成逻辑部分的N型FET的区域上侧的第三绝缘膜和在构成存储器阵列部分的N型FET和P型FET的区域上侧的第三绝缘膜。
基本信息
专利标题 ：
制造半导体集成电路的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825568A
申请号 ：
CN200610004128.0
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
菅野道博
申请人 ：
索尼株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200610004128.0
主分类号 ：
H01L21/8244
IPC分类号 ：
H01L21/8244
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8239
存储器结构
H01L21/8244
静态随机存取存储结构
法律状态
2015-11-18 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101723600799
IPC(主分类) : H01L 21/8244
专利号 : ZL2006100041280
登记生效日 : 20151026
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 索尼株式会社
变更后权利人 : 泰塞拉先进技术公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
号牌文件序号 : 101723600799
IPC(主分类) : H01L 21/8244
专利号 : ZL2006100041280
登记生效日 : 20151026
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 索尼株式会社
变更后权利人 : 泰塞拉先进技术公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
2009-04-22 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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