半导体集成电路装置用研磨剂、研磨方法及半导体集成电路装置...
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本发明提供在半导体集成电路装置的制造中研磨被研磨面的情况下，可以在多晶硅膜和其它材料之间获得适合的研磨速度比，由此能够实现含多晶硅膜的被研磨面的高度平坦化的研磨技术。作为化学机械研磨用研磨剂，使用含有氧化铈粒子、水溶性多胺和水且其pH在10～13的范围内的研磨剂。
基本信息
专利标题 ：
半导体集成电路装置用研磨剂、研磨方法及半导体集成电路装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101142659A
申请号 ：
CN200680008440.5
公开（公告）日 ：
2008-03-12
申请日 ：
2006-02-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吉田伊织金喜则
申请人 ：
旭硝子株式会社;AGC清美化学股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
沙永生
优先权 ：
CN200680008440.5
主分类号 ：
H01L21/304
IPC分类号 ：
H01L21/304 B24B37/00 C09K3/14
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/304
机械处理，例如研磨、抛光、切割
法律状态
2018-09-07 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 21/304
变更事项 : 专利权人
变更前 : 旭硝子株式会社
变更后 : AGC株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京
变更后 : 日本东京
变更事项 : 共同专利权人
变更前 : AGC清美化学股份有限公司
变更后 : AGC清美化学股份有限公司
变更事项 : 专利权人
变更前 : 旭硝子株式会社
变更后 : AGC株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京
变更后 : 日本东京
变更事项 : 共同专利权人
变更前 : AGC清美化学股份有限公司
变更后 : AGC清美化学股份有限公司
2010-01-06 ：
授权
2008-05-07 ：
实质审查的生效
2008-03-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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