半导体集成电路装置
专利权的终止
摘要
本发明提供一种以使漏电流最小的方式对基板偏压进行控制的半导体电路装置(1)，其中具备：漏电检测电路(2)，其采用漏电检测用MOSFET(10A、10B)对漏电流进行检测；控制电路(3)，其依据漏电检测电路(2)的输出生成控制信号；基板偏压产生电路(4)，其依据控制信号而使基板偏压变化；被控制电路(5)，其包括具有与漏电检测用的MOSFET(10A、10B)相同特性的MOSFET。漏电检测电路(2)，对随着基板偏压的加强而增加的基板漏电流，和随着基板偏压的加强而减少的亚阈值漏电流进行检测，按照若基板漏电流比亚阈值漏电流小，则使基板偏压加强；若基板漏电流比亚阈值漏电流大，则使基板偏压减弱的方式将控制信号发送给基板偏压产生电路(4)。
基本信息
专利标题 ：
半导体集成电路装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790912A
申请号 ：
CN200510118664.9
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
池永佳史武田晃一野村昌弘
申请人 ：
日本电气株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200510118664.9
主分类号 ：
H03K19/003
IPC分类号 ：
H03K19/003
法律状态
2015-12-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101638246627
IPC(主分类) : H03K 19/003
专利号 : ZL2005101186649
申请日 : 20051101
授权公告日 : 20100623
终止日期 : 20141101
号牌文件序号 : 101638246627
IPC(主分类) : H03K 19/003
专利号 : ZL2005101186649
申请日 : 20051101
授权公告日 : 20100623
终止日期 : 20141101
2010-06-23 ：
授权
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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