半导体集成电路
实质审查的生效
摘要
本发明涉及半导体集成电路。本发明提供一种半导体集成电路，其包括：第一导电型的基板；埋入绝缘膜，设置在基板上；第一导电型的活性层，设置在埋入绝缘膜上；第二导电型的第一杂质区域，形成在活性层内；第二导电型的电场缓和层，包围第一杂质区域并形成在活性层内；第一导电型的第二杂质区域，包围电场缓和层并形成在活性层内；以及槽，包围第二杂质区域地形成，并到达埋入绝缘膜。
基本信息
专利标题 ：
半导体集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556586A
申请号 ：
CN202080073210.7
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
岛健悟片冈良一足立和也袴田悠斗
申请人 ：
株式会社东海理化电机制作所
申请人地址 ：
日本爱知县
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
王玮
优先权 ：
CN202080073210.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/861
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20201027
申请日 : 20201027
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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