半导体集成电路
公开
摘要
本发明的目的在于，提供在维持容错功能的同时能够实现高速传送的半导体集成电路。实施方式的半导体集成电路具备：第一MOS晶体管，栅极被赋予与第一电压的电压范围对应的信号电平的输入信号，d对基准电位点与中间节点之间的导通非导通进行控制；第二MOS晶体管，经由中间节点与第一MOS晶体管连接并与第一MOS晶体管一同构成堆叠，栅极被供给偏置电压，向中间节点施加第一MOS晶体管的耐压以下的电压；第三MOS晶体管，被供给比第一电压高的第二电压，栅极被赋予第一MOS晶体管的动所对应的电平的信号，输出与第二电压的电压范围对应的信号电平的输出信号；以及开关电路，在第一MOS晶体管的截止时使中间节点为固定电压。
基本信息
专利标题 ：
半导体集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114598313A
申请号 ：
CN202110755802.3
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-07-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
八木利弘
申请人 ：
铠侠股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
房永峰
优先权 ：
CN202110755802.3
主分类号 ：
H03K19/018
IPC分类号 ：
H03K19/018 G06F13/40
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
