半导体集成电路

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

提供本发明以抑制由诸如电源噪声的相对小的电源波动引起的保护电路中误操作的出现。保护电路具有第一电阻器和电容器、反相器和MOS晶体管，第一电阻器和电容器串联连接在电源线和接地线之间，反相器的输入连接在第一电阻器和电容器之间，MOS晶体管的栅电极接收反相器的输出并且MOS晶体管的漏电极和源电极连接到电源线和接地线。当高电压波动出现在电源线中时，在第一电阻器和电容器之间的连接点处的电平变化根据时间常数而延迟。通过该延迟，接收反相器输出的MOS晶体管暂时导通，且高电压放电到接地线。由于反相器的输出经由第二电阻器下拉至接地线，即使反相器的输出出现不希望的波动，也可以抑制在MOS晶体管的栅极输入中的波动。

基本信息

专利标题：

半导体集成电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1780146A

申请号：

CN200510114532.9

公开（公告）日：

2006-05-31

申请日：

2005-10-24

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

石塚裕康田中一雄

申请人：

株式会社瑞萨科技

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京市金杜律师事务所

代理人：

王茂华

优先权：

CN200510114532.9

主分类号：

H03K5/08

IPC分类号：

H03K5/08