半导体集成电路
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
岛区16上所形成的双极晶体管的hFE值由发射极区20和第1基极区18的杂质浓度与基极宽度B所决定。因此用同一制造工艺扩散第1基极区18及发射极区20时，各晶体管的hFE值大致相等。本发明为调整晶体管的hFE值设置了第2基极区23。部分第2基极区23与发射极区20相重叠并做得比第1基极区18要深。这样，通过第2基极区23使基极宽度B′增大，可使hFE值变小。同时通过选择发射极区20与第2基极区23的重叠量使hFE的值进行变化。
基本信息
专利标题 ：
半导体集成电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN86100522A
申请号 ：
CN86100522.8
公开（公告）日 ：
1986-09-10
申请日 ：
1986-03-07
授权号 ：
CN1003149B
授权日 ：
1989-01-25
发明人 ：
西井雅晴栗原一夫
申请人 ：
三洋电机株式会社;东京三洋电机株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府守口市
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
马连富
优先权 ：
CN86100522.8
主分类号 ：
H01L29/72
IPC分类号 ：
H01L29/72
相关图片
法律状态
2001-10-31 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1989-11-08 ：
授权
1989-01-25 ：
审定
1986-09-10 ：
公开
1986-08-20 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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