半导体集成电路

专利权的终止

摘要

包括多个互连层和至少一连接相邻互连层互连的过孔的半导体IC，其中每个互连层具有排列成矩阵的多个第一和第二互连组，第一互连组包括沿矩阵行方向延伸且沿列方向并排排列的多个第一互连，第二互连组包括沿列方向延伸且沿行方向并排排列的多个第二互连，第一和第二互连组沿矩阵每行每列交替排列，第一和第二互连组在相邻互连层之间彼此面对，上述第一和第二互连组具有在此其可经过孔相连的交叉部分，每个第一互连组和沿行方向与在层之间面对该第一互连组的第二互连组相邻的第一互连组具有在此其可经过孔相连的重叠部分，每个第二互连组和沿列方向与在层之间面对该第二互连组的第一互连组相邻的第二互连组具有在此其可经过孔相连的重叠部分。

基本信息

专利标题：

半导体集成电路

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1812099A

申请号：

CN200610000509.1

公开（公告）日：

2006-08-02

申请日：

2006-01-09

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

荒川朋文大森睦弘

申请人：

索尼株式会社

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京东方亿思知识产权代理有限责任公司

代理人：

董方源

优先权：

CN200610000509.1

主分类号：

H01L27/02

IPC分类号：

H01L27/02 H01L23/52