半导体集成电路装置
公开
摘要
一种半导体集成电路装置，具有过电流保护电路，能够在超过容许损失之前切断输出电流。半导体集成电路装置具有：输出晶体管，其连接在被输入直流电压的电压输入端子与电压输出端子之间；控制电路，其将该输出晶体管控制为导通状态或截止状态，其中，具有：比例电流生成电路，其能够生成对流过输出晶体管的电流进行比例缩小后的电流；过电流检测电路，其能够根据由比例电流生成电路生成的电流来检测在输出晶体管流过了预定值以上的电流；重试电路，其根据过电流检测电路检测到输出电流的过电流状态，生成用于使输出晶体管间歇地成为截止状态的信号。另外，控制电路构成为根据从重试电路输出的信号反复进行使输出晶体管暂时截止的控制。
基本信息
专利标题 ：
半导体集成电路装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597202A
申请号 ：
CN202111476895.2
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高野阳一
申请人 ：
三美电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
范胜杰
优先权 ：
CN202111476895.2
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L23/62
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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