半导体集成电路装置
实质审查的生效
摘要
终端单元(C11)包括：在Y方向上分别形成在与纳米片(22a、23a)相同的位置处的纳米片(122a、123a)、和分别包围纳米片(122a、123)的Y方向上的外周的虚设栅极布线(143、146)。纳米片(22a、122a)的Y方向上的一侧的面分别从栅极布线(41)及虚设栅极布线(142)露出。纳米片(23a、123a)的Y方向上的一侧的面分别从栅极布线(43)及虚设栅极布线(146)露出。
基本信息
专利标题 ：
半导体集成电路装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556563A
申请号 ：
CN202080072108.5
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中冈康广
申请人 ：
株式会社索思未来
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
柯瑞京
优先权 ：
CN202080072108.5
主分类号 ：
H01L27/11524
IPC分类号 ：
H01L27/11524 H01L27/1157 H01L27/02 B82Y40/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
H01L27/11524
具有单元选择晶体管的，例如，NAND
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11524
申请日 : 20201013
申请日 : 20201013
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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