半导体集成电路装置

专利权的终止

摘要

提供一种半导体集成电路装置，即使是增加写入次数也可以获得高可靠性。其构成为，在由第1电极(155)和第2电极(154)夹着信息存储部的存储单元中进行电流从第1电极(155)流向第2电极(154)的动作，并进行反方向的电流从第2电极(154)流向第1电极(155)的动作。由于第1脉冲(171)而产生组成偏离，但通过施加第2脉冲(172)可以消除组成的偏离，使组成恢复到原来的状态。

基本信息

专利标题：

半导体集成电路装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1819059A

申请号：

CN200610006409.X

公开（公告）日：

2006-08-16

申请日：

2006-01-20

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

土健三伊藤清男高浦则克长田健一

申请人：

株式会社瑞萨科技

申请人地址：

日本东京

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

岳耀锋

优先权：

CN200610006409.X

主分类号：

G11C11/4197

IPC分类号：

G11C11/4197 G11C16/02 G11C11/56

IPC结构图谱

G部——物理

G11

信息存储

G11C

静态存储器

G11C11/08

应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板

G11C11/21

应用电元件的

G11C11/34

应用半导体器件的

G11C11/4193

专用于特定类型的半导体存储器件的辅助电路，例如，用于寻址的、驱动的、读出的、定时的、供电的、信号传播的

G11C11/4197

读写电路

法律状态

2022-01-04 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G11C 11/4197
申请日 : 20060120
授权公告日 : 20120718
终止日期 : 20210120

2017-12-08 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : G11C 11/4197
变更事项 : 专利权人
变更前 : 瑞萨电子株式会社
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本东京

2012-07-18 ：

授权

2010-08-18 ：

专利申请权、专利权的转移

专利申请权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101004162824
IPC(主分类) : G11C 11/4197
专利申请号 : 200610006409X
变更事项 : 申请人
变更前权利人 : 株式会社瑞萨科技
变更后权利人 : 恩益禧电子股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京
变更后权利人 : 日本神奈川
登记生效日 : 20100713

2008-03-19 ：

实质审查的生效

2006-08-16 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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