研磨剂制造方法、其制造的研磨剂和硅晶片制造方法

专利权的终止

摘要

一种研磨剂的制造方法，是将二氧化硅粒子分散在水溶液中而制成的研磨剂的方法，其特征为至少包含：通过离子交换，除去所准备的硅溶胶中的金属化合物离子的步骤(B)；进一步将该离子交换后的硅溶胶高纯度化的步骤(D)；将碱金属氢氧化物添加在该高纯度化后的硅溶胶中的步骤(F)；及在已经添加了该碱金属氢氧化物的硅溶胶中，添加酸的步骤(G)。由此，可以提供一种研磨剂的制造方法，在研磨硅晶片等的时候，能够极有效地抑制金属污染。

基本信息

专利标题：

研磨剂制造方法、其制造的研磨剂和硅晶片制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101069271A

申请号：

CN200580041234.X

公开（公告）日：

2007-11-07

申请日：

2005-11-25

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

中村三喜男木田隆広高野智史今井利彦大嶋正昭

申请人：

信越半导体股份有限公司

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

吴小瑛

优先权：

CN200580041234.X

主分类号：

H01L21/304

IPC分类号：

H01L21/304 C09K3/14 B24B37/00

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/302

改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割

H01L21/304

机械处理，例如研磨、抛光、切割

法律状态

2017-01-11 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101697359407
IPC(主分类) : H01L 21/304
专利号 : ZL200580041234X
申请日 : 20051125
授权公告日 : 20090318
终止日期 : 20151125

2015-03-25 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 信越半导体股份有限公司
变更后权利人 : 日产化学工业株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本东京都
登记生效日 : 20150304
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101712962742
IPC(主分类) : H01L 21/304
专利号 : ZL200580041234X

2009-03-18 ：

授权

2008-01-02 ：

实质审查的生效

2007-11-07 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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2、

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