硅晶片及其制造方法
授权
摘要
在含有含氢原子的物质的气体的惰性环境气体中，通过CZ法生长硅单晶。对通过生长的硅单晶得到的晶片在非氧化环境气体中、于1000℃～1300℃下实施高温热处理。此时，在高温热处理步骤之前，在低于此温度的温度下实施低温热处理。
基本信息
专利标题 ：
硅晶片及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101238557A
申请号 ：
CN200580050229.5
公开（公告）日 ：
2008-08-06
申请日 ：
2005-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杉村涉小野敏昭宝来正隆
申请人 ：
胜高股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
熊玉兰
优先权 ：
CN200580050229.5
主分类号 ：
H01L21/322
IPC分类号 ：
H01L21/322 H01L21/324 H01L21/26 C30B29/06 C30B33/02
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/322
改善其内部性能的，例如产生内部缺陷
法律状态
2009-12-02 ：
授权
2008-10-01 ：
实质审查的生效
2008-08-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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