晶片处理系统及制造晶片的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
所描述的是制造晶片的方法和制造系统(11)，其中，占地面积基本包含在处理室(17、18)的近似尺寸中。单个晶片水平移动通过系统，并且在成组的处理室中同时进行处理。将制造半导体晶片中用到的各种制造工艺包括进来作为系统中的处理室。
基本信息
专利标题 ：
晶片处理系统及制造晶片的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101208454A
申请号 ：
CN200580039598.4
公开（公告）日 ：
2008-06-25
申请日 ：
2005-10-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
凯文·P·费尔贝恩哈里·蓬内坎蒂克里斯托弗·莱恩罗伯特·爱德华·韦斯伊恩·拉奇福特特里·布卢克
申请人 ：
因特维克有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN200580039598.4
主分类号 ：
C23C16/00
IPC分类号 ：
C23C16/00 C23F1/00 H01L21/306 C23C14/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
法律状态
2011-01-05 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101058675374
IPC(主分类) : C23C 16/00
专利申请号 : 2005800395984
公开日 : 20080625
号牌文件序号 : 101058675374
IPC(主分类) : C23C 16/00
专利申请号 : 2005800395984
公开日 : 20080625
2008-08-20 ：
实质审查的生效
2008-06-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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