半导体晶片及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本申请的发明所涉及的半导体晶片的制造方法具备：第一工序，在硅基板的上表面形成被分割成多个小区块的氮化镓生长层；和第二工序，用绝缘膜填埋多个小区块之间，绝缘膜对硅基板施加与氮化镓生长层对硅基板施加的应力相反方向的应力。
基本信息
专利标题 ：
半导体晶片及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556529A
申请号 ：
CN201980101276.X
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2019-10-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
武富优绮三木耕平宫国晋一
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭忠健
优先权 ：
CN201980101276.X
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 H01L21/205 H01L21/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/20
申请日 : 20191023
申请日 : 20191023
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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