改进的半导体晶片结构及其制造方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种半导体晶片，包括：半导体衬底；在衬底表面形成的复数个沟槽；覆盖衬底表面沟槽的隔离层；以及在所述隔离层上与沟槽对应的位置形成的第一孔阵列和第二孔阵列。本发明还相应公开了一种半导体晶片的生产方法，包括：提供一半导体衬底；在衬底上形成复数个沟槽；利用化学气相淀积(CVD)工艺在衬底表面淀积隔离层以便填充和覆盖沟槽；在隔离层上与沟槽对应的位置刻蚀第一孔阵列和第二孔阵列；在第一孔阵列上刻蚀出横贯孔的凹槽；在隔离层表面淀积金属层；利用化学机械研磨(CMP)工艺去除所述金属层直至露出第一和第二孔阵列。本发明能够利用电子束扫描及时发现沟槽内的空隙，从而及早发现失效，降低次品率和制造成本。

基本信息

专利标题：

改进的半导体晶片结构及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1992254A

申请号：

CN200510111971.4

公开（公告）日：

2007-07-04

申请日：

2005-12-26

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

宋增超

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

优先权：

CN200510111971.4

主分类号：

H01L23/522

IPC分类号：

H01L23/522 H01L23/544 H01L21/768

相关图片

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/52

用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置

H01L23/522

包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的

法律状态

2019-12-13 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/66
申请日 : 20051226
授权公告日 : 20081119
终止日期 : 20181226

2011-12-21 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101241318541
IPC(主分类) : H01L 21/66
专利号 : ZL2005101119714
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111111

2008-11-19 ：

授权

2007-08-29 ：

实质审查的生效

2007-07-04 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

CN100435308C.PDF

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CN1992254A.PDF

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