制造半导体结构
公开
摘要
本公开涉及制造一半导体结构的方法。该方法包含：沉积一第一层，使其与一基材的一第一表面区域接触，该基材具有一第一半导体材料且该第一层具有一第二半导体材料；沉积一第二层，使其与该基材的一第二表面区域接触，该第二表面区域基本上与该第一表面区域共面且在该第一表面区域之外，且该第二层具有该第一半导体材料或一第三半导体材料；沉积一第三层，使其与该第一层及该第二层接触，该第三层具有该第一半导体材料或该第三半导体材料或一第四半导体材料；移除该第三层的一部分以暴露该第一层的一部分；移除该第一层的至少一部分以在该基材、该第二层与该第三层之间产生一空腔。
基本信息
专利标题 ：
制造半导体结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114616648A
申请号 ：
CN202080074205.8
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-10-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
玛丽亚·约翰娜·海伦娜·约赫姆
申请人 ：
思敏光子控股有限责任公司
申请人地址 ：
荷兰爱因荷芬
代理机构 ：
北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
刘彬
优先权 ：
CN202080074205.8
主分类号 ：
H01L21/20
IPC分类号 ：
H01L21/20 H01L21/306 H01L21/764 H01L21/82 H01S5/20 G02B6/13 G02B6/12 B81C1/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
