本发明提供电可编程的金属电阻器及其制备方法，其中电迁移应力被用于在结构中产生提高电阻器电阻的空洞。具体地，提供包括互连结构的半导体结构，所述互连结构包括至少一个介质层，其中所述至少一个介质层包括至少两个导电区和一个上层互连区，所述互连区嵌入在所述介质层内，所述至少两个导电区通过至少两个接触而与所述上层互连区相接触，而且至少所述的互连区与所述的至少一个介质层被扩散阻挡层隔离，其中空洞至少存在于互连区中，所述空洞提高互连区的电阻。