半导体结构及其制造方法
授权
摘要
本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包括：底部端子；中间端子，其位于所述底部端子上方且通过高k介电层来与所述底部端子分离；顶部端子，其位于所述中间端子上方且通过所述高k介电层来与所述中间端子分离；以及氮化硅层，其位于所述顶部端子上方且直接位于所述高k介电层上。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110957297A
申请号 ：
CN201910882882.1
公开（公告）日 ：
2020-04-03
申请日 ：
2019-09-18
授权号 ：
CN110957297B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
吴东骏
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园力行六路8号
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
龚诗靖
优先权 ：
CN201910882882.1
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2020-05-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20190918
申请日 : 20190918
2020-04-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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