半导体结构及其制造方法
授权
摘要
本发明涉及一种半导体结构，包括：衬底；浮栅，设于所述衬底上；硅氧化物层，覆盖所述浮栅；无掺杂多晶硅层，设于所述硅氧化物层上；介质层，设于所述无掺杂多晶硅层上；及金属层，设于所述介质层上。本发明将传统的作为SAB的SiO2介质替换成硅氧化物层+无掺杂多晶硅层，使得硅氧化物层在厚度较薄的情况下，仍然能够通过无掺杂多晶硅层保证良好的电子隔绝能力，从而可以兼顾填充能力与电子隔绝能力。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110838491A
申请号 ：
CN201810929487.X
公开（公告）日 ：
2020-02-25
申请日 ：
2018-08-15
授权号 ：
CN110838491B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
周耀辉任小兵刘群金炎王德进
申请人 ：
无锡华润上华科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
王宁
优先权 ：
CN201810929487.X
主分类号 ：
H01L27/11521
IPC分类号 ：
H01L27/11521
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/112
只读存储器结构的
H01L27/115
电动编程只读存储器；其多步骤制造方法
H01L27/11517
具有浮栅的
H01L27/11521
以存储器核心区为特征的
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2020-03-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/11521
申请日 : 20180815
申请日 : 20180815
2020-02-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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