半导体结构及其制造方法
实质审查的生效
摘要
本公开阐述了一种半导体结构及其制造方法，其中，该半导体结构具有设置在半导体晶圆的晶圆活性面上的绝缘层，用于覆盖所述晶圆活性面。绝缘层在一些实施例中可以是保护层，而在其他实施例中可以是覆盖层。绝缘层具有通孔开口以暴露接触垫以引出电气连接。具体地，通过多步蚀刻工艺(例如两步蚀刻工艺)形成通孔开口而不损坏接触垫。两步蚀刻工艺包括第一激光蚀刻工艺，使用普通脉冲(P)和普通能量(E)在所述覆盖层中形成通孔半开口；以及第二蚀刻工艺，使用低P和低E的激光蚀刻工艺或等离子蚀刻工艺。第二蚀刻工艺避免损坏所述接触垫。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512457A
申请号 ：
CN202111358508.5
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周辉星
申请人 ：
PEP创新私人有限公司
申请人地址 ：
新加坡海军部8号1层07/10号
代理机构 ：
北京金咨知识产权代理有限公司
代理人 ：
秦景芳
优先权 ：
CN202111358508.5
主分类号 ：
H01L23/485
IPC分类号 ：
H01L23/485 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/482
由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的
H01L23/485
包括导电层和绝缘层组成的层状结构，例如平面型触头
法律状态
2022-06-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/485
申请日 : 20211116
申请日 : 20211116
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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