半导体结构及其制造方法
授权
摘要
本发明公开一种半导体结构及其制造方法，其中上述半导体结构包括基底与多个栅极结构。栅极结构设置于基底上。每个栅极结构包括栅极、第一间隙壁与第二间隙壁。栅极设置于基底上。第一间隙壁设置于栅极的侧壁上。第二间隙壁设置于第一间隙壁上。在相邻两个栅极结构之间的区域中，多个第一间隙壁彼此分离，多个第二间隙壁彼此分离，且每个第二间隙壁的上部具有凹陷。上述半导体结构可用以形成良好的金属硅化物。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108987261A
申请号 ：
CN201710403145.X
公开（公告）日 ：
2018-12-11
申请日 ：
2017-06-01
授权号 ：
CN108987261B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
张振海
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN201710403145.X
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 H01L21/336 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2019-09-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/027
申请日 : 20170601
申请日 : 20170601
2018-12-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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