半导体结构及其制造方法
公开
摘要
本申请实施例提供了半导体结构及其制造方法，应用于半导体技术领域。该半导体结构包括：半导体芯片，包括位于芯片上的钝化层与保护层，保护层位于钝化层之上；凹槽结构，包括第一凹槽，第一凹槽暴露钝化层表面。通过本方案，可以提升密封层与半导体芯片之间的结合力。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300424A
申请号 ：
CN202210004276.1
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2022-01-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吕开敏
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
高莺然
优先权 ：
CN202210004276.1
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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