半导体芯片及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种具有熔丝的半导体芯片。该半导体芯片包括熔丝和熔丝残余，每个熔丝具有电连接到第一逻辑电路的第一端子、电连接到第二逻辑电路的第二端子、及形成在第一端子和第二端子之间的可熔断区域；每个熔丝残余具有与所述熔丝的第一端子和第二端子相同的图案，并构造为使得与所述第一端子和第二端子对应的图案彼此电气断开。
基本信息
专利标题 ：
半导体芯片及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1825563A
申请号 ：
CN200610009529.5
公开（公告）日 ：
2006-08-30
申请日 ：
2006-02-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
佐甲隆洼田亮
申请人 ：
恩益禧电子股份有限公司
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
梁晓广
优先权 ：
CN200610009529.5
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/525
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2015-04-08 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101605321067
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2006100095295
申请日 : 20060224
授权公告日 : 20090506
终止日期 : 20140224
号牌文件序号 : 101605321067
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2006100095295
申请日 : 20060224
授权公告日 : 20090506
终止日期 : 20140224
2011-01-05 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101058509395
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2006100095295
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川
号牌文件序号 : 101058509395
IPC(主分类) : H01L 21/768
专利号 : ZL2006100095295
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川
2009-05-06 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-08-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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