用于制造薄膜半导体芯片的方法

专利权的终止

摘要

描述了两种用于制造基于III/V化合物半导体材料的薄膜半导体芯片的方法，其中所述薄膜半导体芯片适合于产生电磁辐射。根据第一方法，将适合于产生电磁辐射的有源层序列(1)施加在生长衬底(2)上，该有源层序列(1)具有面向生长衬底(2)的正面(12)和背离生长衬底(2)的背面(11)。此外将至少一个介电层(3)作为反射层序列(51)的一部分施加到有源层序列(1)的背面(11)上，并且借助激光将能量引入到介电层(3)的限定受限的体积区域(8)内，使得形成至少一个朝向有源层序列(1)的背面(11)的开口(4)。随后施加至少一个金属层(5)作为反射层序列(51)的另外的部分，使得所述开口(4)利用金属材料被填充，并且构成至少一个朝向有源层序列(1)的背面(11)的背面导电接触部位(6)。随后将载体(8)施加在反射层序列(51)上，并且去除生长衬底(2)。根据第二方法，将反射层序列(51)施加到有源层序列(1)

基本信息

专利标题：

用于制造薄膜半导体芯片的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101065852A

申请号：

CN200580040882.3

公开（公告）日：

2007-10-31

申请日：

2005-09-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

A·普洛斯尔W·斯泰恩

申请人：

奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司

申请人地址：

德国雷根斯堡

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

卢江

优先权：

CN200580040882.3

主分类号：

H01L33/00

IPC分类号：

H01L33/00 H01L21/285